Юрий Раков, Вячеслав Данилов – Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5

Пожалуйста оцените книгу: УжасноПлохоНормальноХорошоОтлично
Загрузка...
Автор: ,
Издательство:
ISBN:
978-5-7782-1618-1
Книга из раздела: Учебная литература, Книги
 

О книге
«Юрий Раков, Вячеслав Данилов – Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5»

В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.

Оставить комментарий

Your email address will not be published.


*


Яндекс.Метрика